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Vishay推出PowerPAK 8x8L封装60 V和80 V N沟道MOSFET,优异的RDS(ON) 导通电阻低至065 m

发布于:2022-03-02 发布者:欧冠买球网址电子

         宾夕法尼亚、MALVERN—2022年2月7日—日前,Vishay Intertechnology,Inc(NYSE股市代号:VSH)宣布,推出两款n沟道TrenchFET®MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E,以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。为实现设计目标,60 V SiJH600E和80 V SiJH800E具有超低导通电阻,工作温度可达+175(C以及高连续漏极电流。节省空间的PowerPAK®8x8L封装采用无引线键合鸥翼引线结构消除机械应力,有助于提高板级可靠性。

        SiJH600E和SiJH800E超低导通电阻—10 V下典型值分别为065 m(和122 m(—比同代PowerPAK SO-8封装器件分别降低54%和52%,从而减小了传导功耗,实现节能的效果。

  为提高功率密度,SiJH600E和SiJH800E连续漏极电流分别为373 A和288 A,封装占位面积比D2PAK封装减小60%,高度降低57%。为节省电路板空间,每款MOSFET还可以用来取代两个并联的PowerPAK SO-8器件。